[发明专利]具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法有效
| 申请号： | 201310234138.3 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103514947B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法的一个实施例，该存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件。该方法没有“形成”步骤，并且包括通过电流控制器件控制电流等级中的一个将RRAM器件设定为电阻等级中的一个。设定RRAM器件包括对RRAM器件的顶部电极施加第一电压以及对RRAM器件的底部电极施加第二电压。第二电压高于第一电压。本发明还提供了具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 等级 单元 形成 电阻 随机 存储器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于操作多等级电阻式随机存取存储器单元的方法，所述多等级电阻式随机存取存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和电阻式随机存取存储器器件，所述方法没有“形成”步骤，并且包括通过将所述电流控制器件控制为一个电流等级来将所述电阻式随机存取存储器器件设定为一个电阻等级，其中，设定所述电阻式随机存取存储器器件包括对所述电阻式随机存取存储器器件的顶部电极施加第一电压以及对所述电阻式随机存取存储器器件的底部电极施加第二电压，所述第二电压高于所述第一电压，其中，在设定所述电阻式随机存取存储器器件步骤发生之前所述电阻式随机存取存储器没有经历“形成”步骤，其中，所述“形成”步骤在所述电阻式随机存取存储器的电阻材料层中产生导电路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310234138.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：排气涡轮增力二行程空气动力发动机总成
- 下一篇：一种煤矿井下自动排水装置
