[发明专利]二氧化硅薄膜的生产设备及其生产方法

摘要

本发明提出一种二氧化硅薄膜的生产方法，包括：将加热装置升温，并设置待成膜基片，且通入氮气，以排除反应腔室内的杂质气体；氮载气将反应前驱物硅酸乙酯带进反应腔室；氧气源内的氧气传输至臭氧发生器，所产生的臭氧并进入反应腔室；进入反应腔室的反应前驱物硅酸乙酯和臭氧在所述待成膜基片之表面进行反应沉积，以制备所述二氧化硅薄膜。本发明所述二氧化硅薄膜的生产方法采用热反应方式，不仅避免了所述待成膜基片的等离子损伤，而且所述二氧化硅薄膜的生产设备简单，工艺过程容易控制，有效的降低了二氧化硅薄膜的沉积温度。另外，在Low-E玻璃顶层沉积所述二氧化硅薄膜，极大的改善所述功能玻璃的耐酸碱腐蚀性、抗氧化性、湿热性、耐高温性等。

主权项

一种二氧化硅的生产设备，其特征在于，所述设备包括：反应腔室，所示反应腔室内用于设置所述待成膜基片，并在所述待成膜基片上沉积二氧化硅薄膜；加热装置，所述加热装置分别对应设置在所述反应腔室两侧；鼓泡器，所述鼓泡器内设置反应前驱物硅酸乙酯；具有第一分支器的第一气体管路，所述第一气体管路上设置第一气体流量计，且所述第一气体管路之一端与所述氮载气相连，所述第一气体管路之另一端浸入设置在所述鼓泡器内的反应前驱物硅酸乙酯之液面下；具有第二分支器的第二气体管路，所述第二气体管路之一端设置在所述鼓泡器内且位于所述鼓泡器内的反应前驱物硅酸乙酯（TEOS）之液面上，所述第二气体管路之另一端与所述反应腔室连通；具有第二气体流量计的第三气体管路，所述第三气体管路之一端与所述第一气体管路的第一分支器连通，所述第三气体管路之另一端与所述第二气体管路的第二分支器连通；臭氧发生器，所述臭氧发生器一端通过所述第四气体管路与所述反应腔室连通，所述臭氧发生器之另一端并通过设置在所述第四气体管路上的第三气体流量计与用于生成所述臭氧（O3）的氧气源（O2）连通；以及，干燥装置，所述干燥装置与所述反应腔室连通。