[发明专利]二氧化硅薄膜的生产设备及其生产方法

权利要求书

1.一种二氧化硅的生产设备，其特征在于，所述设备包括：

反应腔室，所示反应腔室内用于设置所述待成膜基片，并在所述待成膜基片上沉积二氧化硅薄膜；

加热装置，所述加热装置分别对应设置在所述反应腔室两侧；

鼓泡器，所述鼓泡器内设置反应前驱物硅酸乙酯；

具有第一分支器的第一气体管路，所述第一气体管路上设置第一气体流量计，且所述第一气体管路之一端与所述氮载气相连，所述第一气体管路之另一端浸入设置在所述鼓泡器内的反应前驱物硅酸乙酯之液面下；

具有第二分支器的第二气体管路，所述第二气体管路之一端设置在所述鼓泡器内且位于所述鼓泡器内的反应前驱物硅酸乙酯（TEOS）之液面上，所述第二气体管路之另一端与所述反应腔室连通；

具有第二气体流量计的第三气体管路，所述第三气体管路之一端与所述第一气体管路的第一分支器连通，所述第三气体管路之另一端与所述第二气体管路的第二分支器连通；

臭氧发生器，所述臭氧发生器一端通过所述第四气体管路与所述反应腔室连通，所述臭氧发生器之另一端并通过设置在所述第四气体管路上的第三气体流量计与用于生成所述臭氧（O₃）的氧气源（O₂）连通；以及，

干燥装置，所述干燥装置与所述反应腔室连通。

2.如权利要求1所述的二氧化硅的生产设备，其特征在于，所述加热装置的温度偏差控制在±2℃以内。

3.一种利用权利要求1或2所述的二氧化硅生产设备生产二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1：将所述加热装置升温至预设温度，并将所述待成膜基片设置在所述反应腔室内，且通入氮气，以排除反应腔室内的杂质气体；

步骤S2：氮载气内的氮气将所述鼓泡器内的反应前驱物硅酸乙酯带进所述反应腔室；

步骤S3：所述氧气源内的氧气经由所述第三气体流量计传输至所述臭氧发生器，所产生的臭氧并通过所述第四气体管路进入所述反应腔室；

步骤S4：进入所述反应腔室的反应前驱物硅酸乙酯和臭氧在所述待成膜基片之表面进行反应沉积，以制备所述二氧化硅薄膜。

4.如权利要求3所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述反应前驱物硅酸乙酯设置在所述鼓泡器内，并对所述反应前驱物硅酸乙酯进行水浴加热，所述水浴加热的温度为恒温65℃。

5.如权利要求3所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述生产方法进一步包括对所述第二气体管路进行加热。

6.如权利要求3所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述加热装置的预设温度范围为300～500℃。

7.如权利要求6所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述反应沉积温度为400℃。

8.如权利要求7所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述O₂/TEOS比率大于等于4:1。

9.如权利要求3所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述反应沉积的时间为30～360s。

10.如权利要求3所述二氧化硅薄膜的生产方法，其特征在于，所述待成膜基片为单片浮法玻璃、Low-E玻璃，或者solar热控玻璃的其中之一。