[发明专利]静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201310227182.1 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104241181B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电吸盘，包括制造静电吸盘的主体部和基座；以及将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘；其中制造静电吸盘主体部的步骤包括形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部。本发明能够有效提高静电吸盘的耐等离子体侵蚀性能、结构稳定性及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 静电吸盘 绝缘层 陶瓷基板 主体部 多层薄膜结构 薄膜电极 保护层 上表面 沉积 等离子体处理装置 等离子体 静电吸盘主体 制造 结构稳定性 基座连接 使用寿命 侵蚀 等离子 图形化 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制造静电吸盘的主体部和基座；以及将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘；其中制造所述主体部的步骤包括：形成陶瓷基板；在所述陶瓷基板上沉积具有薄膜电极和第一绝缘层的多层薄膜结构，所述第一绝缘层位于所述陶瓷基板上表面，所述薄膜电极位于所述第一绝缘层上方；在所述多层薄膜结构上沉积抗等离子体侵蚀的保护层；以及图形化所述保护层的上表面以在所述保护层的上表面形成包含沟槽的图案，以形成所述静电吸盘的主体部；其中在沉积所述多层薄膜结构之后或在图形化所述保护层的上表面之后去除所述陶瓷基板，以使所述主体部仅由所述多层薄膜结构和所述保护层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
