[发明专利]一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310226455.0 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311276A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/772;H01L21/32;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 石墨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准石墨烯场效应晶体管，其特征在于，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底(10)、绝缘层(11)、导电通道(12)、源电极(13)、漏电极(14)、栅介质层(15)、栅金属(16)和自对准金属(17)，其中，绝缘层(11)形成于半导体衬底(10)上，导电沟道(12)形成于绝缘层(11)上，导电沟道(12)由石墨烯构成，源电极(13)和漏电极(14)分别形成于导电通道(12)的两侧，栅介质层(15)选择性沉积在源电极(13)和漏电极(14)之间的导电沟道(12)上，栅金属(16)形成于栅介质层(15)之上，栅介质层(15)与栅金属(16)同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属(17)覆盖源电极(13)、漏电极(14)、导电通道(12)以及栅金属(16)之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。
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