[发明专利]PMOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种PMOS晶体管及其制作方法。为了提高对沟道施加的压应力，本发明在源/漏区的sigma形凹槽内填入硅锗材质时，使得硅锗材质的表面高于硅衬底表面以增加硅锗材质的填充量；此外，在半导体工艺中，一片晶圆除了制作PMOS晶体管，在其它区域还需形成其它半导体器件，例如NMOS晶体管，因而，在对晶圆进行离子注入形成PMOS晶体管的轻掺杂区时，对其它区域需采用光刻胶覆盖加以保护，浅结制作完成后，该光刻胶残留物需进行去除，为防止上述清洗过程对硅锗材质腐蚀，本发明在硅锗材质的侧面覆盖保护层，从而提高了载流子的迁移速率。

主权项

一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成栅极结构及侧墙，所述栅极结构至少包括形成在硅衬底上的栅介质层及所述栅介质层上的栅电极层；在硅衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形凹槽；在所述sigma形凹槽内填充硅锗材质，所述硅锗材质的上表面高于所述硅衬底表面；去除所述侧墙后至少在所述高于所述硅衬底表面的硅锗材质侧边覆盖保护层，光刻胶残留物去除溶液对所述保护层的去除速率低于对硅锗材质的去除速率；形成保护层后，采用光刻胶覆盖所述硅衬底的其它区域，以在所述侧墙暴露的硅衬底区域形成轻掺杂区；采用光刻胶残留物去除溶液清洗所述硅衬底以形成PMOS晶体管，所述清洗过程中，高于所述硅衬底表面的硅锗材质被所述保护层保护。