[发明专利]衬底电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310203942.5 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515195A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈华丰;王淑慧;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构可以包括位于衬底上的与诸如晶体管的其他器件同时形成的电阻器。图案化在衬底上形成的扩散阻挡层以形成电阻器和位于晶体管栅极下方的阻挡层。以与晶体管的栅极相同的方式和同时在电阻器上形成填充材料、第一连接件和第二连接件。去除填充材料以形成位于衬底上的电阻器。本发明还提供了衬底电阻器及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底上方形成电阻器；在所述电阻器和所述衬底上方沉积填充材料；图案化位于所述电阻器的中间区域上方的所述填充材料；在所述电阻器上方形成连接件，所述连接件位于所述填充材料的两侧；以及去除所述填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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