[发明专利]电容式硅麦克风及其制备方法

摘要

本发明涉及一种电容式硅麦克风的制备方法，电容式硅麦克风与一集成电路集成于同一衬底上，包括：在衬底上形成分别用于制作集成电路和硅麦克分电路的第一、第二区域，第二区域包括一钝化层、一器件组和一介质层，器件组包括第一、第二器件；刻蚀第二区域以形成至少一通气孔；沉积第一牺牲层；去除通气孔之外的第一牺牲层；沉积第二牺牲层；定义空气隙区域，在其上沉积一金属层，以顶部及侧部包覆空气隙区域内的第二牺牲层，并使金属层与第二器件相连；在金属层上形成至少一释放孔；刻蚀形成空气隙与气腔；其中，第一器件为硅麦克风的电容第一极，金属层为硅麦克风的电容第二极。其兼容性好、生产成本低。

主权项

1.一种基于半导体衬底制作的电容式硅麦克风，包括：在所述衬底第一区域形成的集成电路；在所述衬底第二区域形成的硅麦克风电路；其中，所述集成电路与所述硅麦克风电路通过至少一连接点连接，所述硅麦克风电路包括：一钝化层，其为所述第二区域表面层；一介质层，设置于所述钝化层与所述衬底之间；一器件组，埋设于所述钝化层底部、位于所述介质层之上，其包括第一器件和第二器件；一空气隙，位于所述钝化层上方，用于作为所述电容式硅麦克风的绝缘介质；一金属层，包括相互连接的第一部与第二部，所述第一部从顶部及侧部包覆所述空气隙，其上表面设有至少一释放孔，分别连通所述电容式硅麦克风外部与所述空气隙，所述第二部贯通所述钝化层与所述第二器件相连；一气腔，形成于所述衬底内；以及至少一通气孔，其贯通所述钝化层与所述介质层，分别与所述气腔、所述空气隙导通；其中，所述第一器件为所述电容式硅麦克风的电容第一极，所述金属层为所述电容式硅麦克风的电容第二极。