[发明专利]一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管

摘要

一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。

主权项

一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上设有P型外延层（2），在P型外延层（2）的内部设有N型漂移区（3）、N型源区（5）和P型体接触区（6），在N型漂移区（3）内设有N型漏区（4），在P型外延层（2）的表面设有栅氧化层（8）和场氧化层（11）且栅氧化层（8）的一端和场氧化层（11）的一端相抵，所述栅氧化层（8）的另一端向N型源区（5）延伸并止于N型源区（5）的边界，所述场氧化层（11）的另一端向N型漏区（4）延伸并止于N型漏区（4）的边界，在栅氧化层（8）的表面设有多晶硅栅（9）且多晶硅栅（9）延伸至场氧化层（11）的上表面，在场氧化层（11）、P型体接触区（6）、N型源区（5）、多晶硅栅（9）和N型漏区（4）的表面设有钝化层（12），在N型源区（5）和P型体接触区（6）表面连接有第一金属层（7），在多晶硅栅（9）的表面连接有第二金属层（10），在N型漏区（4）表面连接有第三金属层（13），其特征在于在场氧化层（11）的下方靠近栅氧化层（8）的位置设有重掺杂深P型柱（15）。