[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤提供基底，基底具有多个柱状物，且柱状物周围具有多个沟渠，每一柱状物的底部有掺杂区；在每一掺杂区下方形成绝缘层。本发明的半导体元件制造方法，可使垂直式晶体管阵列中各晶体管单元之间的绝缘效果良好。再者，通过配置遮蔽层，或者通过增加栅极与栅极间或源极与漏极间的距离，可以降低各晶体管单元之间的耦合效应。因此，晶体管单元的效能得以提升。

主权项

一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，上述基底具有多个柱状物，上述柱状物周围具有多个沟渠，上述沟渠包括多个第一方向沟渠与多个第二方向沟渠，且每一上述第一方向沟渠中的每一上述柱状物的侧壁还包括栅介电层与栅极，每一上述柱状物的底部有掺杂区；在每一上述掺杂区下方形成绝缘层，使每一上述掺杂区与上述基底通过上述绝缘层分隔；以及在每一上述沟渠之中形成一遮蔽层，上述遮蔽层位于上述第一方向沟渠之中的相邻的两个上述栅极之间，其中上述遮蔽层与上述基底电性连接。