[发明专利]发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310193631.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280502A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 梁兴华;夏德玲;徐宸科;赵志伟;李水清 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种老化漏电少、光效高的发光器件及其制作方法。其发光器件，至少包括：半导体外延叠层，包含N型半导体层、P型半导体层以及夹在所述N型半导体层和P型半导体层之间的发光层，其表面具有缺陷位错；抗电迁移金属，通过预处理的方式填充到所述N型或/和P型半导体层表面的缺陷位错内，以堵塞所述半导体外延叠层由于缺陷位错形成的电迁移通道，减少漏电的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光器件，包括：半导体外延叠层，包含N型半导体层、P型半导体层以及夹在所述N型半导体层和P型半导体层之间的发光层，所述半导体外延叠层表面具有缺陷位错；抗电迁移金属，通过预处理的方式填充至所述N型或/和P型半导体层表面的缺陷位错内，以堵塞所述半导体外延叠层由于缺陷位错形成的电迁移通道，减少漏电的发生。
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