[发明专利]一种直接贴焊的半导体发光共晶晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201310190639.6 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103311385A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 严敏;程君;周鸣波 | 申请（专利权）人： | 严敏;程君;周鸣波 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈惠莲 |
| 地址： | 100097 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光DA（Direct Attach直接贴焊）共晶晶片的制造方法，包括：对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理；在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长（EPI：Epitaxy）得到外延片；对得到的外延片进行前段工序，在前段工序中对外延片进行金属光刻，用光刻胶在外延片上形成电极图形，以及对外延片进行金属蒸镀，沉积Cr，Ni，Au，Ti，Sn后最外层为AuSn合金层，得到具有电极的外延片；然后对外延片进行倒模处理；对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到半导体发光共晶晶片。本发明省去了很多传统工序，在产品的稳定性，信赖性，可靠性等方面和传统MTBF指标方面都会提高10倍以上，是半导体发光产品家用化和高品质规模化生产的最基本的基础保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 半导体 发光 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种直接焊接DA的半导体发光共晶晶片的制造方法，包括：对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理；在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长EPI得到外延片；对得到的外延片进行前段工序，在所述前段工序中对外延片进行金属光刻，用光刻胶在外延片上形成电极图形，以及对外延片进行金属蒸镀，沉积Cr，Ni，Au，Ti，Sn，金属蒸镀后的沉积的最外层为AuSn合金层，得到具有电极的外延片；对经前段工序处理后的外延片进行倒模倒装处理；对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到直接焊接DA的半导体发光共晶晶片。
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