[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310190108.7 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183477B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括金属栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；在所述第一区域和所述第二区域上形成屏蔽氧化层和图案化的光刻胶层；根据图案化的光刻胶层刻蚀去除所述第二区域中的所述屏蔽氧化层和所述虚拟栅极，以形成沟槽；采用基于四氟化碳的气体处理所述沟槽；采用基于氮气和一氧化碳的混合气体处理所述沟槽。根据本发明的方法采用双步刻蚀后处理工艺（PET），以避免在刻蚀去除虚拟栅极之后在虚拟栅极的原有位置形成的沟槽中残留聚合物，并且提高了半导体器件的整体性能和半导体器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括金属栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；在所述第一区域和所述第二区域上形成屏蔽氧化层和图案化的光刻胶层；根据图案化的光刻胶层刻蚀去除所述第二区域中的所述屏蔽氧化层和所述虚拟栅极，以形成沟槽；采用基于四氟化碳的气体处理所述沟槽；采用基于氮气和一氧化碳的混合气体处理所述沟槽，通过所述两次处理去除残留在所述沟槽中的聚合物的同时，避免对所述金属栅极的化学损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
