[发明专利]一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法有效
| 申请号： | 201310180372.2 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103227251A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;刘仁锁;蒋利民;李刚 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230011 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1-xN势阱层，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1‑xN势阱层，其中0
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