[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310180255.6 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103515429A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 朱雷 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335;H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成在所述阶梯的上表面的上方，所述上表面为非极性面；以及第二电极，沿着所述阶梯的侧表面形成，从而在竖直方向上与所述第一电极间隔开，所述侧表面是极性面。
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