[发明专利]一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法无效
| 申请号： | 201310173433.2 | 申请日： | 2013-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN103295911A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 成都瑞芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 梁田 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造方法，包括：步骤101.在衬底上生长外延层；在外延层上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内生长栅氧化层；步骤102.在第一沟槽和第二沟槽淀积多晶硅，使多晶硅填充整个沟槽全部内表面，在第一沟槽形成栅电极，在第二沟槽形成悬浮场板；步骤103.在第一沟槽和第二沟槽之间以及第一沟槽靠芯片边界一侧注入形成体区；随后在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区注入形成源区；步骤104.在硅片表面淀积隔离氧化层，并在隔离氧化层上构造与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。及利用上述方法得到的功率MOSFET的沟槽终端结构。以较小的占用面积提高了硅片终端部分的击穿电压，并降低了硅片终端结构的设计难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 沟槽 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造方法，包括如下步骤：步骤101.在衬底（21）上生长外延层（22）；在外延层（22）上刻蚀形成第一沟槽（18）和位于第一沟槽靠近芯片内部一侧的第二沟槽（19）；在沟槽内生长栅氧化层（23a）； 步骤102.在第一沟槽（18）和第二沟槽（19）淀积多晶硅，使多晶硅填充整个沟槽全部内表面，在第一沟槽形成栅电极（24a），在第二沟槽形成悬浮场板（24b）；步骤103.在第一沟槽（18）和第二沟槽（19）之间以及第一沟槽靠芯片边界（17）一侧注入形成体区（25）；随后在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区注入形成源区（27）；步骤104.在硅片表面淀积隔离氧化层(29)，并在隔离氧化层(29)上构造与源区(27)形成良好欧姆接触的源级接触结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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