[发明专利]具有嵌入式应变感应图案的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310169990.7 申请日: 2013-05-09
公开(公告)号: CN103515441B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 前田茂伸;福留秀畅;高荣健;郑周铉 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/04
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 张云珠,李云霞
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种具有嵌入式应变感应图案的半导体器件,所述半导体器件可包括有源区域,所述有源区域具有在相对的源区和漏区之间提供沟道区域的翅片部分。栅电极可横跨位于相对的源区和漏区之间的沟道区域,第一应变感应结构和第二应变感应结构可位于栅电极的相对两侧上,并可被构造成感应沟道区域上的应变,其中,第一应变感应结构和第二应变感应结构中的每个包括具有一对{111}晶面的相应的面对侧。
搜索关键词: 具有 嵌入式 应变 感应 图案 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:有源区域,形成在基底中,并具有上表面、第一侧表面、与第一侧表面相对的第二侧表面以及与第一侧表面和第二侧表面接触的第三侧表面;栅电极,覆盖所述上表面、第一侧表面和第二侧表面中的至少一个;应变感应图案,与有源区域的第三侧表面接触,其中,有源区域的第三侧表面包括两个或更多平面,所述两个或更多平面中的第一平面相对于第一侧表面形成锐角,所述两个或更多平面中的第二平面相对于第二侧表面形成锐角。
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