[发明专利]具有嵌入式应变感应图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区域，形成在基底中，并具有上表面、第一侧表面、与第一侧表面相对的第二侧表面以及与第一侧表面和第二侧表面接触的第三侧表面；

栅电极，覆盖所述上表面、第一侧表面和第二侧表面中的至少一个；

应变感应图案，与有源区域的第三侧表面接触，

其中，有源区域的第三侧表面包括两个或更多平面，所述两个或更多平面中的第一平面相对于第一侧表面形成锐角，所述两个或更多平面中的第二平面相对于第二侧表面形成锐角。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区域的第一平面和第二平面中的每个与所述上表面垂直。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区域的第一平面和第二平面相交的第一边缘与所述上表面垂直。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，第一边缘与栅电极重叠。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中，有源区域的上表面具有{110}表面，第一侧表面和第二侧表面中的每个具有{100}表面，第一平面和第二平面中的每个具有{111}表面。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，有源区域的第三侧表面包括第三平面，所述第三平面与第一平面的上端和第二平面的上端接触并与所述上表面接触，其中，第三平面相对于所述上表面形成锐角。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，第三平面具有{111}表面。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中，有源区域和应变感应图案之间的界面具有梯形形状。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区域的第一平面和第二平面具有V形形状。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区域的第三侧表面包括：

第三平面，与第一平面的上端和第二平面的上端接触并与所述上表面接触；

第四平面，与第一平面的下端和第二平面的下端接触，

其中，第三平面相对于所述上表面形成锐角。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，有源区域的上表面、第一侧表面和第二侧表面中的每个具有{110}表面，第一平面、第二平面、第三平面和第四平面中的每个具有{111}表面。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中，第一平面、第二平面、第三平面和第四平面在第一角点处相交。

13.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

有源区域的第一平面、第二平面和第三平面相交的第二角点；

第一平面和第二平面相交的第二边缘；

第一平面、第二平面和第四平面相交的第三角点，

其中，由第二角点、第二边缘和第三角点形成的线段与有源区域的上表面垂直定位。

14.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

有源区域的第一平面、第三平面和第四平面相交的第四角点；

第三平面和第四平面相交的第三边缘；

第二平面、第三平面和第四平面相交的第五角点，

其中，由第四角点、第三边缘和第五角点形成的线段与有源区域的上表面平行定位。

15.如权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区域的第三侧表面包括：

第五平面，与第一侧表面接触并与第一平面的下端接触；

第六平面，与第二侧表面接触并与第二平面的下端接触，

其中，第一平面与第一侧表面和所述上表面接触，并相对于第一侧表面和所述上表面中的每个形成锐角，

第二平面与第二侧表面和所述上表面接触，并相对于第二侧表面和所述上表面中的每个形成锐角，

第五平面相对于第一侧表面形成锐角，

第六平面相对于第二侧表面形成锐角，

第一平面、第二平面、第五平面和第六平面相交而形成第六角点。

16.如权利要求15所述的半导体器件，其中，有源区域的上表面、第一侧表面和第二侧表面中的每个具有{100}表面，第一平面、第二平面、第五平面和第六平面中的每个具有{111}表面。

17.如权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极覆盖有源区域的第一侧表面和第二侧表面。