[发明专利]基于膜的IC封装方法和封装的IC器件无效
申请号: | 201310163617.0 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103390564A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 张静慧;王理敬;黄文鸿;潘保同;黄迟立;陈怡斌;林车函;何中雄 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/28;H01L23/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了基于膜覆线(FOW)的IC器件以及基于FOW的IC封装方法。在一实施例中,一种用于封装IC管芯的方法包括:将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及将基板或引线框架切割为IC器件。还描述了其他实施例。基于FOW的IC封装方法可以消除IC封装工艺中对模制成型的需要,并因此可以降低IC封装的成本以及封装IC器件的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 基于 ic 封装 方法 器件 | ||
【主权项】:
一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及将基板或引线框架切割为IC器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司,未经NXP股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310163617.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造