[发明专利]基于膜的IC封装方法和封装的IC器件无效

专利信息
申请号: 201310163617.0 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103390564A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 张静慧;王理敬;黄文鸿;潘保同;黄迟立;陈怡斌;林车函;何中雄 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/28;H01L23/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 基于 ic 封装 方法 器件
【权利要求书】:

1.一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:

将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及

将基板或引线框架切割为IC器件。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:

加热基板或引线框架;

使膜层靠近IC管芯和键合引线;以及

固化膜层以形成膜覆线层。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:使用载体层将膜层施加到IC管芯和键合引线,其中载体层由金属或玻璃制成。

4.根据权利要求3所述的方法,还包括:在固化膜层之后去除载体层。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,载体层包括带层。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,带层由响应于加热而失去粘附性的热释放带制成。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,膜层包括粘附性膜层。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,将基板或引线框架切割为IC器件包括:使用切割刀片,将基板或引线框架切割为相同的IC器件。

9.根据权利要求1所述的方法,还包括:向IC器件中烧制激光标记。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,IC器件从包括以下各项的组中选择:薄型细间距球栅阵列TFBGA封装IC器件、超薄型细间距球栅阵列VFBGA封装IC器件、高性能球栅阵列HBGA封装IC器件、触点栅阵列LGA封装IC器件、四方扁平无引脚QFN封装IC器件、以及小外型无引脚SON封装IC器件。

11.一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:

将IC管芯附接到基板或引线框架上;

将键合引线附接到IC管芯以及基板或引线框架;

将膜层施加到IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及

将基板或引线框架切割为IC器件。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:

加热基板或引线框架;

使膜层靠近IC管芯和键合引线;以及

固化膜层以形成膜覆线层。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:使用载体层将膜层施加到IC管芯和键合引线,其中载体层由金属或玻璃制成。

14.根据权利要求13所述的方法,还包括:在固化膜层之后去除载体层。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,载体层包括由响应于加热而失去粘附性的热释放带制成的带层。

16.根据权利要求11所述的方法,其中,膜层包括粘附性膜层。

17.根据权利要求11所述的方法,其中,将基板或引线框架切割为IC器件包括:使用切割刀片,将基板或引线框架切割为相同的IC器件。

18.根据权利要求11所述的方法,还包括:向IC器件中烧制激光标记。

19.一种集成电路IC器件,该IC器件包括:

基板或引线框架,具有外部电连接器;

附接于基板或引线框架上的IC管芯;

与IC管芯以及基板或引线框架相连的键合引线;以及

包封IC管芯和键合引线的膜覆线层。

20.根据权利要求19所述的IC器件,其中,该IC器件还包括附于膜层的载体层,其中载体层由金属制成并被配置为用作热沉。

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