[发明专利]基于膜的IC封装方法和封装的IC器件无效
申请号: | 201310163617.0 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103390564A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 张静慧;王理敬;黄文鸿;潘保同;黄迟立;陈怡斌;林车函;何中雄 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/28;H01L23/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ic 封装 方法 器件 | ||
1.一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:
将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及
将基板或引线框架切割为IC器件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:
加热基板或引线框架;
使膜层靠近IC管芯和键合引线;以及
固化膜层以形成膜覆线层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:使用载体层将膜层施加到IC管芯和键合引线,其中载体层由金属或玻璃制成。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括:在固化膜层之后去除载体层。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,载体层包括带层。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,带层由响应于加热而失去粘附性的热释放带制成。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,膜层包括粘附性膜层。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,将基板或引线框架切割为IC器件包括:使用切割刀片,将基板或引线框架切割为相同的IC器件。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括:向IC器件中烧制激光标记。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,IC器件从包括以下各项的组中选择:薄型细间距球栅阵列TFBGA封装IC器件、超薄型细间距球栅阵列VFBGA封装IC器件、高性能球栅阵列HBGA封装IC器件、触点栅阵列LGA封装IC器件、四方扁平无引脚QFN封装IC器件、以及小外型无引脚SON封装IC器件。
11.一种用于封装集成电路IC管芯的方法,该方法包括:
将IC管芯附接到基板或引线框架上;
将键合引线附接到IC管芯以及基板或引线框架;
将膜层施加到IC管芯和键合引线,以形成膜覆线层,其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封;以及
将基板或引线框架切割为IC器件。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:
加热基板或引线框架;
使膜层靠近IC管芯和键合引线;以及
固化膜层以形成膜覆线层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,将膜层施加到IC管芯和键合引线包括:使用载体层将膜层施加到IC管芯和键合引线,其中载体层由金属或玻璃制成。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括:在固化膜层之后去除载体层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,载体层包括由响应于加热而失去粘附性的热释放带制成的带层。
16.根据权利要求11所述的方法,其中,膜层包括粘附性膜层。
17.根据权利要求11所述的方法,其中,将基板或引线框架切割为IC器件包括:使用切割刀片,将基板或引线框架切割为相同的IC器件。
18.根据权利要求11所述的方法,还包括:向IC器件中烧制激光标记。
19.一种集成电路IC器件,该IC器件包括:
基板或引线框架,具有外部电连接器;
附接于基板或引线框架上的IC管芯;
与IC管芯以及基板或引线框架相连的键合引线;以及
包封IC管芯和键合引线的膜覆线层。
20.根据权利要求19所述的IC器件,其中,该IC器件还包括附于膜层的载体层,其中载体层由金属制成并被配置为用作热沉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造