[发明专利]基于膜的IC封装方法和封装的IC器件

说明书

技术领域

本发明的实施例一般地涉及电子电路，更具体地，涉及集成电路(IC)器件以及用于封装IC管芯的方法。

背景技术

IC封装或组装工艺涉及将IC芯片封入保护材料中。常规的基于模制成型的IC封装技术使用制模工具来在IC芯片以及附于IC芯片上的键合引线周围形成保护模制件。基于模制成型的IC器件的厚度或高度由制模工具的尺寸来控制。另外，因为制模化合物通常是不透明的，所以一般不能视觉或光学检验键合引线连接。另外，因为制模化合物通常并不能有效导热，所以基于模制成型的IC器件不太适用于热密集应用中。

发明内容

描述了基于膜覆线(film-on-wire，FOW)的IC器件以及基于FOW的IC封装方法。在一实施例中，一种用于封装IC管芯的方法包括：将膜层施加到附接于基板或引线框架上的IC管芯和键合引线，以形成膜覆线层，其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封；以及将基板或引线框架切割为IC器件。还描述了其他实施例。

基于FOW的IC封装方法可以消除IC封装工艺中对模制成型的需要。因此，不再需要昂贵且又不灵活的制模工具。相反，使用薄膜层(例如，粘附性膜层)来形成围绕IC管芯和键合引线的保护层。因为基于FOW的IC封装方法消除了对昂贵且又不灵活的制模工具的需要，所以可以降低IC封装的成本以及封装IC器件的尺寸。

在一实施例中，一种用于封装IC管芯的方法包括：将IC管芯附接到基板或引线框架；将键合引线附接到IC管芯以及基板或引线框架；将膜层施加到IC管芯和键合引线，以形成膜覆线层，其中IC管芯和键合引线被膜覆线层包封；以及将基板或引线框架切割为IC器件。

在一实施例中，一种IC器件包括：基板或引线框架，具有外部电连接器；附接于基板或引线框架上的IC管芯；与IC管芯以及基板或引线框架相连的键合引线；以及包封IC管芯和键合引线的膜覆线层。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，本发明实施例的其他方面和优点将变得清楚，附图根据本发明的原理示例性示出。

图1A示出了常规IC封装工艺中使用的制模工具。

图1B是被封IC芯片的结构的截面图。

图1C示出了将图1B中的结构切割为分离的IC器件的操作。

图2A是根据本发明实施例的IC封装工艺期间的基本结构的截面图。

图2B示出了IC封装工艺的预加热操作。

图2C示出了膜施加工艺中使膜结构靠近图2A所示的基本结构的第一步骤。

图2D示出了膜施加工艺中的固化步骤。

图2E是由膜施加工艺得到的结构的截面图。

图2F示出了将由膜施加工艺得到的结构切割为分离的IC器件的操作。

图3A是根据本发明另一实施例的IC封装工艺期间的基本结构的截面图。

图3B示出了IC封装工艺的预加热操作。

图3C示出了膜施加工艺中使膜结构靠近图3A所示的基本结构的第一步骤。

图3D示出了膜施加工艺中的固化步骤。

图3E是由膜施加工艺得到的结构的截面图。

图3F示出了将由膜施加工艺得到的结构切割为分离的IC器件的操作。

图4示出了使用根据本发明实施例的IC封装工艺来封装的薄型细间距球栅阵列(TFBGA)或超薄型细间距球栅阵列(VFBGA)封装IC器件。

图5示出了使用根据本发明实施例的IC封装工艺来封装的高性能球栅阵列(HBGA)或触点栅阵列(LGA)封装IC器件。

图6示出了使用根据本发明实施例的IC封装工艺来封装的四方扁平无引脚(QFN)封装IC器件。

图7是根据本发明实施例的IC管芯封装方法的工艺流程图。

贯穿说明书，类似的附图标记可以用来标识类似的元件。

具体实施方式

应容易地认识到，在此一般性记载以及附图中图示的实施例的构成可以按多种不同的配置来进行设置和设计。因此，以下对附图中所示出的多个实施例的详细描述并不是要限制本公开的范围，而仅仅代表多个实施例。尽管实施例的众多方面在附图中呈现，但附图不一定是按比例绘制的，除非明确指明。

所描述的实施例在任何情况下均应被认为仅仅是示例性的，而不是限制性的。因此，本发明的范围由所附权利要求而不是由在此的详细说明来表明。在权利要求的等价意义和范围内的所有改变应落在权利要求的范围内。