[发明专利]分离SOI器件中两种效应导致阈值电压漂移的方法有效
| 申请号： | 201310157703.0 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103278759A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 安霞;冯慧;黄良喜;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分离HCI直流应力下SOI器件阈值电压漂移量的方法，属于半导体可靠性测试领域。该方法在SOI PMOSFET栅端和漏端同时加应力偏置下将HCI直流应力下HCI效应与NBTI效应对阈值电压漂移量影响分离，分别得到HCI效应和NBTI效应对应的阈值电压漂移量。采用本发明可以有助于更好的理解在VG＝VD应力下HCI效应的退化机制，从而更好的对器件建模并更精确的预测器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 soi 器件 中两种 效应 导致 阈值 电压 漂移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种HCI直流应力下SOI器件中两种可靠性效应导致阈值电压漂移量的分离方法，具体步骤为：1)在SOI PMOS器件A的栅端和漏端施加HCI直流应力VG＝VD＝Vstress，VS＝0测出阈值电压的漂移量量![]()
同时提取出器件的自热温度ΔTSH；2)取与SOI PMOS器件A相同工艺及尺寸的SOI PMOS器件B加NBTI应力偏置VG＝Vstress，VD＝VS＝0，应力温度T取SOI PMOS器件A自热温度ΔTSH，测出SOI PMOS器件B的阈值电压漂移量![]()
该阈值电压漂移量等于SOI PMOS器件A中HCI直流应力下NBTI效应所产生的阈值电压漂移量；3)通过![]()
计算出SOI PMOS器件A中HCI效应导致的阈值电压漂移量![]()
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