[发明专利]GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法在审
| 申请号： | 201310151866.8 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103258722A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘波;冯志红;张雄文;敦少博;尹甲运;邢东;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/40;C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者氢化物气相外延（HVPE）生长系统在GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层外延生长三族氮化物，进而开展GaN基微电子和光电子器件结构的外延生长。利用本发明方法制作的GaAs衬底三族氮化物外延材料位错密度大大降低，提高了外延材料的晶体质量，同时由于GaAs衬底价格低廉，工艺成熟，本发明也提高了GaAs衬底GaN基外延材料的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 衬底 采用 algainn 缓冲 生长 氮化物 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，其特征在于包括如下工艺步骤：（1）在GaAs衬底上直接生长AlGaInN缓冲层或者先生长GaAs形核层后再生长AlGaInN缓冲层；（2）在AlGaInN缓冲层上生长三族氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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