[发明专利]紫外共振腔发光二极管无效

专利信息
申请号: 201310141880.X 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN103236479A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置,该装置包括:一种共振腔紫外发光二极管装置,其包括:第一腔,其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波;第二腔,其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波;其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道,电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器,分别连接到该第一腔和第二腔,分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波。
搜索关键词: 紫外 共振 发光二极管
【主权项】:
一种共振腔紫外发光二极管装置,其包括:第一腔,其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波;第二腔,其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波;其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道,电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器,分别连接到该第一腔和第二腔,分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波;其中,所述第一腔和第二腔的交界处为反节点,所述反节点位于所述共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区,且在辐射复合最强的量子阱位置处。
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