[发明专利]一种高强导电Cu-Ni-Si-M合金无效
| 申请号: | 201310136638.3 | 申请日: | 2013-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN103205600A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | 王清;董闯;李冬梅;周文龙;李廷举;王同敏 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 侯明远 |
| 地址: | 116024*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种高强导电Cu-Ni-Si-M合金,属于新材料技术领域。其特征在于:它包括Cu、Ni、Si、Fe和Mo元素,其合金成分的重量百分比分别为Cu-(3.52-4.04%)Ni-(0.93-1.18%)Si-(0.19-0.43%)Fe和Cu-(3.51-4.04%)Ni-(0.93-1.18%)Si-(0.32-0.73%)Mo。材料性能指标为:Cu-Ni-Si-Fe合金的电导率IACS = 13-36 %,硬度HV =240-258;Cu-Ni-Si-Mo合金的电导率IACS = 13-35 %,硬度HV =212-244。本发明的效果和益处在保证Cu合金高导电性基础上,实现了合金的高强度;Cu-Ni-Si-M (M=Fe或Mo)合金的组元元素添加含量合理,在保证合金性能优异的同时,为一种低成本合金材料; Cu-Ni-Si-M (M=Fe或Mo)合金可作为半导体集成电路中引线框架的承载材料。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高强 导电 cu ni si 合金 | ||
【主权项】:
一种高强导电Cu‑Ni‑Si‑M合金,其特征在于:它包括Cu、Ni、Si和Fe元素,其合金成分的重量百分比为Cu‑(3.52‑4.04%)Ni‑(0.93‑1.18%)Si‑(0.19‑0.43%)Fe。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310136638.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:取代的吡啶化合物
- 下一篇:一种±1100kV 高压直流隔离开关





