[发明专利]一种高强导电Cu-Ni-Si-M合金无效
| 申请号： | 201310136638.3 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103205600A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王清;董闯;李冬梅;周文龙;李廷举;王同敏 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高强 导电 cu ni si 合金 | ||
【权利要求书】：
1.一种高强导电Cu-Ni-Si-M合金，其特征在于：它包括Cu、Ni、Si和Fe元素，其合金成分的重量百分比为Cu-(3.52-4.04%)Ni-(0.93-1.18%)Si-(0.19-0.43%)Fe。
2.一种高强导电Cu-Ni-Si-M合金，其特征在于：它包括Cu、Ni、Si和Mo元素，其合金成分的重量百分比为Cu-(3.51-4.04%)Ni-(0.93-1.18%)Si-(0.32-0.73%)Mo。
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