[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供了一种半导体装置，在该半导体装置中，能够抑制寄生双极晶体管的工作，并且能够在源极区和背栅区之间提供电位差。形成在半导体衬底上的耐高压晶体管包括第一导电类型的阱区；作为源极区的第一杂质区；以及作为漏极区的第二杂质区。半导体装置还包括第三杂质区和隔离用栅极电极。在平面视图中，第三杂质区形成在一对第一杂质区之间，并且从该第三杂质区引出阱区的电位。隔离用栅极电极形成在第一杂质区和第三杂质区之间的主表面上。

主权项

一种包括耐高压晶体管的半导体装置，其中，耐高压晶体管包括：半导体衬底，具有主表面；第一导电类型的阱区，形成在主表面上；第二导电类型的多个第一杂质区，多个第一杂质区中的每个第一杂质区形成在阱区内的主表面上，并且从多个第一杂质区中的每个第一杂质区引出源极电极；以及第二导电类型的第二杂质区，第二杂质区形成在主表面上以与每个第一杂质区相邻，从第二杂质区引出漏极电极，并且其中，半导体装置包括：第一导电类型的第三杂质区，第三杂质区形成在平面视图中位于一对第一杂质区之间并且在阱区内的主表面上，从第三杂质区引出阱区的电位；以及隔离用栅极电极，形成在第一杂质区和第三杂质区之间的主表面上，其中隔离用栅极电极被形成为在平面视图中在第一杂质区的一部分和第三杂质区的一部分上伸展。