[发明专利]一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法无效
| 申请号： | 201310130752.5 | 申请日： | 2013-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103205814A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 徐玮;陈平;程晓丹;李光朔;陈明富 | 申请（专利权）人： | 苏州汉能环保材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/22;C30B7/14 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 31114 | 代理人： | 竺明 |
| 地址： | 215513 江苏省苏州市常熟*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅锗氧化物复合纳米线及其制备方法，该复合纳米线，为单晶的正交氧化硅晶相和单晶的正交氧化锗晶相复合生长而成，且为氧化硅氧化锗的孪晶，其长度10-40μm，宽度20-40nm，氧化硅和氧化锗质量比为0.1～5：1；本发明以无定型氧化硅作为硅源，通过浸渍、焙烧植入氧化铁纳米粒子，再和α氧化锗混合研磨，通过有机胺的气-固相水热反应，最终获得硅锗氧化物复合纳米线。该方法制备的硅锗氧化物复合纳米线具有很好的荧光活性、大的比表面积以及粗细、长短可调控的性质，产率＞95%，产品质量高，有望在诸如先进催化剂的设计、生物荧光标记、纳米器件组装、微观传导以及先进光学、电学和磁学材料的合成领域中有潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 复合 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锗氧化物复合纳米线，为单晶的正交氧化硅晶相和单晶的正交氧化锗晶相复合生长而成，且为氧化硅氧化锗的孪晶，该复合纳米线的长度为10‑40微米，宽度为20‑40纳米，其中氧化硅和氧化锗的质量比为0.1～5∶1。
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