[发明专利]掩膜只读存储器制造方法在审
| 申请号： | 201310128456.1 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103591A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 苏波;张可钢;陈广龙;陈华伦;朱东园 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜只读存储器制造方法，在栅极及其侧墙完成之后，先淀积一层层间介质并平坦化，使后期制作的岛型图案更加稳固地立于栅极上方，光刻工艺窗口增加，淀积的介质层采用部分或全部的接触孔介质层，而不需额外生长或去除，不额外增加制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在硅衬底上制作形成有源区及隔离区；第2步，在有源区内形成所述掩膜只读存储器的每个存储单元晶体管的栅氧化层和栅极；第3步，注入形成源区及漏区；第4步，制作形成栅极的侧墙；第5步，进行第一层间介质的淀积；第6步，对第一层间介质进行平坦化；第7步，进行部分存储单元晶体管阈值电压调节的注入；第8步，其他层间介质的淀积及平坦化；第9步，制作接触孔；第10步，制作金属引线及钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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