[发明专利]掩膜只读存储器制造方法

权利要求书

1.一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：

第1步，在硅衬底上制作形成有源区及隔离区；

第2步，在有源区内形成所述掩膜只读存储器的每个存储单元晶体管的栅氧化层和栅极；

第3步，注入形成源区及漏区；

第4步，制作形成栅极的侧墙；

第5步，进行第一层间介质的淀积；

第6步，对第一层间介质进行平坦化；

第7步，进行部分存储单元晶体管阈值电压调节的注入；

第8步，其他层间介质的淀积及平坦化；

第9步，制作接触孔；

第10步，制作金属引线及钝化层。

2.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：所述第4步中，根据产品具体要求选择性地制作或者不制作栅极侧墙。

3.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：所述第5步中，淀积的第一层间介质材料为氮氧化硅、无渗入杂质硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃中的一种或任意几种的组合，淀积的总厚度为

4.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：所述第6步中，根据产品具体要求选择性地对第一层间介质进行或者不进行平坦化；若平坦化，采用的方法为化学机械研磨或者刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的一种掩膜只读存储器制造方法，其特征在于：所述第8步中，根据产品具体要求选择性地淀积或者不淀积其他层间介质；若淀积其他层间介质，淀积的层间介质材料为氮氧化硅、无渗入杂质硅酸盐玻璃、硼磷硅玻璃中的一种或任意几种的组合，淀积的总厚度为再选择性地进行或者省略平坦化步骤，若平坦化，方法为化学机械研磨或者刻蚀工艺。