[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法有效
| 申请号： | 201310128027.4 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103722B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括基板；形成在基板上的未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层中形成有空气间隙，所述空气间隙与覆盖于其上的未掺杂GaN层共同组成多层布拉格反射层；以及依次形成在未掺杂GaN层之上的N型GaN层、活性层以及P型GaN层。由于空气间隙与未掺杂GaN层的折射率的差值较大，使到所形成的布拉格反射层的反射率较高，进而提高了发光二极管晶粒的出光效率。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒的制造方法，包括：提供一个基板；在基板上成长未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层的表面包括相邻设置的第一区域和第二区域；蚀刻未掺杂GaN层的表面的第一区域以形成多个凹部；在未掺杂GaN层的表面生长半导体叠层，所述半导体叠层包括交替层叠的AlN层与未掺杂GaN层，AlN层位于半导体叠层底部，未掺杂GaN层位于半导体叠层顶部；蚀刻位于第二区域的AlN层以去除AlN层及位于其上的未掺杂GaN层；在未掺杂GaN层的凹部底面以及第二区域的表面依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层；去除位于第一区域的AlN层以在未掺杂GaN层内部对应该去除的AlN层位置形成空气间隙，所述空气间隙与位于其上的未掺杂GaN层形成布拉格反射层；以及切割所述基板以及形成于其上的半导体层以形成多个发光二极管晶粒。
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