[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310124368.4 申请日: 2013-04-11
公开(公告)号: CN103378070A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 丸山真理子 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/64;H01L23/31
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件,其能够在不使用可拆装的抗静电用部件的情况下防止静电故障。通过将连接在作为IGBT芯片(4)的栅极端子和发射极端子的一对外部导出端子(13、14)之间的、作为抗静电用部件的片式电阻器(16)设置于树脂外壳(15)内,能够在不使用可拆装地装设在树脂外壳(15)外的作为抗静电用部件的IC泡沫体的情况下防止保管、出货工序中发生的静电故障。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,包括:散热底座;载置在该散热底座上的带导电图案薄膜的绝缘基板;具有主电极和栅极电极,载置在该带导电图案薄膜的绝缘基板上的半导体芯片;载置于所述散热底座、覆盖所述半导体芯片的外壳;从该外壳内部贯穿该外壳而被导出至该外壳外部,对所述主电极和所述栅极电极输入控制信号的一对第一外部导出端子和第二外部导出端子;和具备一对第一端子和第二端子的抗静电用部件,所述抗静电用部件设置于所述外壳内,所述第一端子与所述第一外部导出端子电连接,所述第二端子与所述第二外部导出端子电连接。
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