[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201310123359.3 | 申请日: | 2013-04-10 |
公开(公告)号: | CN103227173A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 于海峰;封宾;崔晓鹏;林鸿涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,所述阵列基板上形成有连接低电平电位的第一导电图形、与数据进位信号STV信号线同层的第二导电图形、位于所述第一导电图形和所述第二导电图形之间的绝缘层,所述第一导电图形、所述绝缘层与所述第二导电图形存在有交叠区域以形成存储电容,其中,所述STV信号线对应所述第二导电图形的位置形成有朝向所述第二导电图形的导电尖端。本发明的技术方案能够在不影响显示效果的情况下,有效释放STV信号线上积累的静电。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,所述阵列基板上形成有连接低电平电位的第一导电图形、与数据进位信号STV信号线同层的第二导电图形、位于所述第一导电图形和所述第二导电图形之间的绝缘层,所述第一导电图形、所述绝缘层与所述第二导电图形存在有交叠区域以形成存储电容,其特征在于,所述STV信号线对应所述第二导电图形的位置形成有朝向所述第二导电图形的导电尖端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310123359.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的