[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法无效
| 申请号： | 201310121621.0 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103236416A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 张明华;严钧华;黄耀东;方精训;彭树根 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理并留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，平坦化处理未接触到氮化层，采用普通的研磨液就可以达到平坦化，降低了研磨液的成本，同时用干法刻蚀去除氮化层上剩余的隔离层，解决了化学机械研磨产生的凹陷与侵蚀现象。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次覆盖氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，形成浅沟槽图形；沉积隔离层，所述隔离层填满所述浅沟槽图形；对所述隔离层实施平坦化处理，平坦化处理后留下部分隔离层；干法刻蚀去除剩余隔离层；湿法刻蚀去除所述氮化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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