[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种晶体硅太阳能电池及其制作方法，该方法包括：S1、获取当前批的镀有氮化硅膜的硅片，并检测每个所述硅片上的氮化硅膜的厚度；S2、计算检测到的所述氮化硅膜的厚度均值；S3、判断所述厚度均值是否在预设厚度范围内；如果否，则执行步骤S4；如果是，则执行步骤S6；S4、根据预设浓度的氢氟酸溶液和预设时间，清洗掉每个所述硅片上的所述氮化硅膜；S5、对每个所述硅片镀氮化硅膜，进入步骤S1；S6、在所述硅片上形成正面电极和背面电极，生成晶体硅太阳能电池。采用该方法制作晶体硅太阳能电池，保证了硅片的机械强度，提高了成品合格率。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：S1、获取当前批的镀有氮化硅膜的硅片，并检测每个所述硅片上的氮化硅膜的厚度；S2、计算检测到的所述氮化硅膜的厚度均值；S3、判断所述厚度均值是否在预设厚度范围内；如果否，则执行步骤S4；如果是，则执行步骤S6；S4、根据预设浓度的氢氟酸溶液和预设时间，清洗掉每个所述硅片上的所述氮化硅膜；S5、对每个经过清洗后的硅片镀氮化硅膜，进入步骤S1；S6、在所述硅片上形成正面电极和背面电极，生成晶体硅太阳能电池。