[发明专利]一种具有新型缓冲层结构的IGBT及其制造方法

摘要

本发明提出了一种具有新型缓冲层结构的IGBT及其制造方法，包括：集电区，在集电区之上依次形成有第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层的掺杂浓度低于集电区掺杂浓度高于第二缓冲层的掺杂浓度，在第二缓冲层之上形成有漂移区，漂移区的掺杂浓度低于第二缓冲层的掺杂浓度，在漂移区内形成有阱区，在阱区内形成有源区，在漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极，在集电区之下形成有集电极。本发明通过在IGBT内设置两层缓冲层，其中靠近集电区第一缓冲层掺杂浓度较高，靠近漂移区第二缓冲层掺杂浓度较低，解决了现有技术中漂移区因为低掺杂浓度和厚度太薄造成的雪崩失效和动态振荡的问题，显著的减小了IGBT的导通压降和关断损耗。

主权项

一种具有新型缓冲层结构的IGBT，其特征在于，包括：集电区，所述集电区为重掺杂；在所述集电区之上形成有第一缓冲层，所述第一缓冲层的掺杂浓度低于集电区参杂浓度，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述第一缓冲层之上形成有第二缓冲层，所述第二缓冲层的掺杂浓度低于所述第一缓冲层的掺杂浓度，其导电类型与所述第一缓冲层的导电类型相同；在所述第二缓冲层之上形成有漂移区，所述漂移区的掺杂浓度低于所述第二缓冲层的的掺杂浓度，其导电类型与所述第二缓冲层的导电类型相同；在所述漂移区内形成有阱区，在所述阱区内形成有源区，所述阱区的导电类型与所述集电区的导电类型相同，所述源区为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极、隔离层和发射极；在所述集电区之下形成有集电极。