[发明专利]注入隔离器件及其形成方法

摘要

注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。

主权项

一种器件，包括：半导体衬底，具有有源区域；注入隔离区域，围绕所述有源区域并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底中；栅极结构，位于所述有源区域的一部分和所述注入隔离区域上，其中，所述栅极结构的两个端部至少部分地延伸在所述注入隔离区域上方；并且，其中，所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述有源区域的所述部分上方并且至少部分地位于所述注入隔离区域上方；两个端部覆盖硬掩模，每一个都位于所述注入隔离区域上方的栅极介电层的一部分上；以及栅电极，设置在所述两个端部覆盖硬掩模的至少一部分和所述栅极介电层上；以及，其中，所述有源区域中的一种或多种掺杂物种类出现在所述两个端部覆盖硬掩模中。