[发明专利]用于等离子体均匀性调谐的多射频阻抗控制

摘要

本发明提供了一种用于等离子体均匀性调谐的多射频阻抗控制，具体提供了用于处理晶片的电路、方法、室、系统、和计算机程序。晶片处理装置包括在处理室内的上电极和下电极；第一、第二、第三、和第四射频（RF）功率源；和一个或多个谐振电路。第一、第二、和第三RF功率源被耦合到所述下电极。所述上电极可以耦合到第四RF功率源、电气接地，或所述一个或多个谐振电路。被耦合在所述上电极和电气接地之间的多个谐振电路中的每一个包括调谐元件，该调谐元件能操作以通过谐振电路改变频率相关的阻抗。所述晶片处理装置被配置为选择用于晶片处理操作的RF功率源，以及到所述上电极的连接件，以提供用于晶片的等离子体和蚀刻均匀性。

主权项

一种晶片处理装置，其包括处理室的上电极和下电极，所述晶片处理装置包括：第一射频(RF)功率源，第二射频功率源，和第三射频功率源，所述第一、第二、和第三射频功率源与所述下电极耦合；第四射频功率源，其与所述上电极耦合，其中杂散电容限定在地和所述上电极之间；以及第一谐振电路，其直接耦合于所述上电极并直接耦合于电气接地，其中所述第一谐振电路包括耦合于所述上电极的电感器，和可变电容器，所述可变电容器直接连接到电气接地和直接串联连接到所述电感器，所述可变电容器是能操作以改变所述第一谐振电路的频率相关阻抗的调谐元件，其中所述第一谐振电路的频率相关阻抗定义为在所述第一射频功率源的频率下呈现最大值，其中所述可变电容器被调谐以基于与所述可变电容器和所述电感器的组合并联耦合的所述杂散电容的阻抗设置所述第一谐振电路的所述频率相关阻抗。