[发明专利]FLASH器件及其制造方法

摘要

公开了一种FLASH器件及其制造方法，该半导体器件包括半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括依次设置的浮栅电介质、浮栅导体、控制栅电介质和控制栅导体，并且浮栅电介质将浮栅导体和半导体鳍片隔开；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与控制栅导体隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。该半导体器件可以实现高集成度和低功耗。

主权项

一种FLASH器件，包括：半导体衬底；半导体衬底中的阱区；位于阱区上的夹层结构，该夹层结构包括背栅导体、位于背栅导体两侧的半导体鳍片、以及将背栅导体与半导体鳍片分别隔开的各自的背栅电介质，其中阱区作为背栅导体的导电路径的一部分；与夹层结构相交从而与半导体鳍片相交的前栅堆叠，该前栅堆叠包括依次设置的浮栅电介质、浮栅导体、控制栅电介质和控制栅导体，并且浮栅电介质将浮栅导体和半导体鳍片隔开，半导体鳍片夹于前栅堆叠与背栅导体之间；位于背栅导体上方以及半导体鳍片上方的绝缘帽盖，并且绝缘帽盖将背栅导体与前栅堆叠隔开；以及与半导体鳍片提供的沟道区相连的源区和漏区。