[发明专利]具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置有效
| 申请号： | 201310099109.0 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367361A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;U.瓦尔;J.魏尔斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02;H02M3/155 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置。一种半导体装置包括半导体主体和功率晶体管，该功率晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极。该半导体装置进一步包括高电压器件，该高电压器件设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功率 晶体管 电压 器件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体主体；功率晶体管，其包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及高电压器件，其设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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