[发明专利]具有功率晶体管和高电压器件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体主体；

功率晶体管，其包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极；以及

高电压器件，其设置在处于半导体主体中的井状电介质结构内并且包括另外的漂移区。

2.权利要求1的半导体装置，其中功率晶体管进一步包括被设置成邻近漂移区并且通过漂移控制区电介质与漂移区电介质绝缘的漂移控制区。

3.权利要求1的半导体装置，其中功率晶体管的源极区和漏极区在半导体主体的垂直方向上远距离地设置。

4.权利要求2的半导体装置，其中横向电介质层设置在漂移控制区与漏极区之间。

5.权利要求4的半导体主体，其中漂移控制区具有漏极侧末端，并且其中整流器元件连接在漏极区与漂移控制区的漏极侧末端之间。

6.权利要求5的半导体主体，其中漂移控制区在漏极侧末端包括掺杂类型与漂移控制区相同但是更高地掺杂的接触区，并且其中整流器元件连接到接触区。

7.权利要求1的半导体装置，其中高电压器件实现为MOSFET，包括：

另外的源极区、另外的漏极区以及设置在所述另外的源极区与所述另外的漂移区之间的沟道区；以及

另外的栅极电极，其被设置成邻近所述另外的沟道区并且通过另外的栅极电介质与沟道区电介质绝缘。

8.权利要求7的半导体装置，其中所述MOSFET实现为增强型MOSFET，并且其中沟道区具有与源极区的掺杂类型互补的掺杂类型。

9.权利要求7的半导体装置，其中所述MOSFET实现为耗尽型MOSFET，并且其中沟道区至少沿着栅极电介质具有掺杂类型与源极区的掺杂类型相应的掺杂区。

10.权利要求1的半导体装置，其中高电压器件为横向高电压器件。

11.权利要求10的半导体主体，其中功率晶体管实现为垂直功率晶体管，进一步包括设置在半导体主体的第一表面的区域中的边缘终止物，该边缘终止物限定了环形物，其中至少功率晶体管的源极区设置在该环形物内部。

12.权利要求11的半导体装置，其中横向高电压器件的漂移区从如边缘结构所限定的环形物内部延伸到如边缘结构所限定的环形物外部。

13.权利要求1的半导体装置，其中高电压器件实现为二极管。

14.权利要求13的半导体装置，其中二极管为其中第一发射极区和第二发射极区在半导体主体的横向方向上远离的横向二极管。

15.权利要求1的半导体装置，进一步包括：

偏压电路，其耦合到漂移控制区；以及

电容性元件，其耦合在漂移控制区与用于参考电位的终端之间。

16.权利要求15的半导体装置，其中用于参考电位的终端为源极区。

17.一种半桥电路，包括：

低侧晶体管和高侧晶体管，每一个晶体管包括负载路径和控制终端；

高侧驱动电路，其包括具有电平移位器晶体管的电平移位器；并且

其中低侧晶体管和电平移位器晶体管集成到公共半导体主体中。

18.权利要求17的半桥电路，进一步包括集成到公共半导体主体中的二极管。

19.权利要求17的半桥电路，其中低侧晶体管包括设置在半导体主体中的源极区、漏极区、主体区和漂移区，被设置成邻近主体区并且通过栅极电介质与主体区电介质绝缘的栅极电极，并且其中电平移位器晶体管设置在处于半导体主体中并且包括另外的漂移区的井状电介质结构内。

20.权利要求18的半桥电路，其中二极管设置在公共半导体主体中的井状电介质结构内。

21.权利要求19的半桥电路，进一步包括具有漏极侧末端的漂移控制区，并且其中整流器元件连接在漏极区与漂移控制区的漏极侧末端之间。