[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310098654.8 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515307B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 明周铉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括由金属硅化物形成的掩埋位线、和形成在分隔开掩埋位线的沟槽之下的衬底中的硅化防止区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：刻蚀衬底以形成具有侧壁的多个本体，所述多个本体由多个沟槽分隔开，其中所述多个沟槽中的每个沟槽由所述多个本体中的相应本体的侧壁对限定；在所述多个沟槽中的每个沟槽之下的所述衬底中形成硅化防止区；以及在所述多个本体的侧壁上执行硅化工艺，以在所述多个本体的每个本体中形成掩埋位线，其中所述掩埋位线的下表面与所述多个沟槽的底部基本上共面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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