[发明专利]薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201310096225.7 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103258726A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;夏子祺;代伍坤;李嘉鹏;金秀洪;王凤国;张磊;仇淼 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置，涉及显示领域，可解决现有干法刻蚀对被刻蚀膜层下方的其它膜层表面平整度损伤大的技术问题，从而提高液晶显示器的显示性能。本发明所述阵列基板的制备方法，包括采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀，在所述采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，还包括：对第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 表面 平坦 方法 阵列 及其 制备 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜表面平坦化的方法，其特征在于，在采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，对干法刻蚀后露出的第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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