[发明专利]薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜表面平坦化的方法，其特征在于，在采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，对干法刻蚀后露出的第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于， 

在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于， 

所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于， 

所述混合气体还包括氦气，所述混合气体中氦气所占的体积比为20％～40％，氧气所占的体积比为30％～40％，六氟化硫所占的体积比为30％～40％。 

5.一种阵列基板的制备方法，包括采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀，其特征在于，在所述采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，还包括：对干法刻蚀后露出的第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述对第一膜层进行表面平坦化处理，具体包括： 

在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于， 

所述非金属层为半导体层。 

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于， 

所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于， 

所述混合气体还包括氦气。 

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于， 

所述混合气体中氦气所占的体积比为20％～40％，氧气所占的体积比为30％～40％，六氟化硫所占的体积比为20％～40％。 

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于， 

所述混合气体中氦气所占的体积比为30％～35％，氧气所占的体积比为35％～40％，六氟化硫所占的体积比为25％～30％。 

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述化学反应气体与所述第一膜层的反应时间为5～45s。 

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体与所述第一膜层的反应时间为5～15s。 

14.一种阵列基板，包括采用干法刻蚀进行图案刻蚀形成的非金属层，其特征在于，所述阵列基板在制造过程中在经历干法刻蚀后，还经历平坦化处理，所述平坦化处理使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于， 

所述平坦化处理包括：在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

16.根据权利要求14或15所述的阵列基板，其特征在于， 

所述非金属层为半导体层。 

17.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于， 

所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

18.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于， 

所述混合气体还包括氦气。 

19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的阵列基板。