[发明专利]薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置。 

背景技术

干法刻蚀是半导体制造领域常用的一种工艺手段，通常是利用射频源使工作气体发生等离子体放电现象，产生离子(Ion)和自由基(Radical)，该些离子和自由基在电场作用下对沉积在基板上未被光刻胶覆盖的物质进行离子轰击，从而转移掩膜板规定的图案到基板上。 

在液晶显示器阵列基板加工过程中，干法刻蚀一般用于对非金属层如半导体层进行图案刻蚀，但干法刻蚀通常采用离子轰击形式，对被刻蚀膜层下方的其它膜层(对底栅结构的TFT，该膜层为栅绝缘层)的表面平整度损伤大，导致该膜层表面变得粗糙，一方面严重影响金属晶粒的生长，不利于源漏金属层的沉积，另一方面也会影响液晶显示器的透过率及对比度。 

发明内容

本发明提供一种薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置，解决了现有干法刻蚀对被刻蚀膜层下方的其它膜层表面平整度损伤大的技术问题，从而提高液晶显示器的透过率及对比度。 

为解决上述技术问题，本发明的实施例采用如下技术方案： 

一种干法刻蚀后薄膜表面平坦化的处理方法，在采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，对干法刻蚀后露出的第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

具体地，在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成 挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

可选地，所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

所述混合气体还包括氦气，所述混合气体中氦气所占的体积比为20％～40％，氧气所占的体积比为30％～40％，六氟化硫所占的体积比为30％～40％。 

本实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀，在所述采用干法刻蚀对非金属层进行图案刻蚀之后，还包括：对干法刻蚀后露出的第一膜层进行表面平坦化处理，使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

可选地，所述对第一膜层进行表面平坦化处理，具体包括： 

在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

可选地，所述非金属层为半导体层。 

可选地，所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

可选地，所述混合气体还包括氦气。 

优选地，所述混合气体中氦气所占的体积比为20％～40％，氧气所占的体积比为30％～40％，六氟化硫所占的体积比为30％～40％。 

优选地，所述混合气体中氦气所占的体积比为30％～35％，氧气所占的体积比为35％～40％，六氟化硫所占的体积比为25％～30％。 

优选地，所述化学反应气体与所述第一膜层的反应时间为5～45s。 

更为优选地，所述反应气体与所述第一膜层的反应时间为5～15s。 

本发明还提供一种阵列基板，包括采用干法刻蚀进行图案刻蚀形成的非金属层，所述阵列基板在制造过程中在经历干法刻蚀后，还经历平坦化处理，所述平坦化处理使因干法刻蚀导致表面粗糙的所述第 一膜层恢复平坦，所述第一膜层位于所述非金属层的下方。 

可选地，所述平坦化处理包括：在所述干法刻蚀所使用的设备中，通入化学反应气体，使所述化学反应气体与干法刻蚀后露出的第一膜层进行化学反应生成挥发性物质，从而使所述第一膜层表面平坦化。 

可选地，所述非金属层为半导体层。 

可选地，所述第一膜层为氮化硅膜层，所述化学反应气体为包括氧气和六氟化硫的混合气体。 

可选地，所述混合气体还包括氦气。 

本发明还提供一种显示装置，包括所述的阵列基板。 

本发明提供一种薄膜表面平坦化的方法、阵列基板及其制备方法和显示装置，在传统干法刻蚀后，增加表面平坦化处理步骤，使干法刻蚀后被损伤的比较粗糙的膜层表面恢复平坦，从而避免干法刻蚀对后续工序产生影响，可改善液晶显示器的透过率及对比度。 

附图说明