[发明专利]用于形成具有自对准源极/漏极的FinFET的方法有效
| 申请号： | 201310094844.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103903985B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪;方子韦;张郢 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种方法，包括形成栅极堆叠件以覆盖半导体鳍的中间部分，以及用n型杂质掺杂半导体鳍的暴露部分以形成n型掺杂区。通过栅极堆叠件防止中间部分的至少一部分接收n型杂质。该方法进一步包括使用氯自由基蚀刻n型掺杂区以形成凹槽，以及实施外延以在凹槽中再生长半导体区。本发明还公开了用于形成具有自对准源极/漏极的FinFET方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 对准 finfet 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：形成栅极堆叠件以覆盖半导体鳍的中间部分；用n型杂质掺杂所述半导体鳍的暴露部分以形成n型掺杂区，其中通过所述栅极堆叠件来防止所述中间部分的一部分接收所述n型杂质；使用氯自由基蚀刻所述n型掺杂区以形成凹槽，其中，所述氯自由基具有在中性硅的表面形成钝化的特征，使得氯自由基不能穿透中性硅的表面；以及实施外延以在所述凹槽中再生长半导体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
