[发明专利]半导体装置

摘要

发明提供一种半导体装置，能够在耐压水准相互不同的多个种类的DMOS之间，使对基板穿通耐压成为一定值以上。实施方式的半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体层；以及第二导电型的第二半导体层，在每个相互分离的第一区域和第二区域中，设置在上述第一半导体层上的一部分。并且，上述第一区域中的、连接上述第四半导体层与上述第六半导体层的方向上的上述第一绝缘膜的两端间的第一距离比上述第二区域中的上述第一距离长，上述第一区域中的、上述第二绝缘膜在上述第二半导体层的内周侧的端缘与上述第三半导体层在上述第二半导体层的外周侧的端缘之间的第二距离比上述第二区域中的上述第二距离短。

主权项

一种半导体装置，具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在每个相互分离的第一区域和第二区域中，设置在上述第一半导体层上的一部分；第三半导体层，设置在各上述第二半导体层上的一部分，是第二导电型，有效杂质浓度比上述第二半导体层的有效杂质浓度高；第一导电型的第四半导体层，设置在上述第三半导体层上的一部分；第一导电型的第五半导体层，设置在第二半导体层上的其他的一部分，与上述第三半导体层分离；第六半导体层，设置在上述第五半导体层上的一部分，与上述第二半导体层分离，是第一导电型，有效杂质浓度比上述第五半导体层的有效杂质浓度高；第一绝缘膜，是上述第五半导体层上的一部分，设置在上述第四半导体层与上述第六半导体层之间；第二绝缘膜，设置在从上述第三半导体层在上述第二半导体层的外周侧的端部上直到上述第一半导体层在上述第二半导体层的外侧的部分上；栅绝缘膜，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层中的、在上述第四半导体层与上述第五半导体层之间的部分上；以及栅电极，设置在上述栅绝缘膜上；上述第一区域中的、连接上述第四半导体层与上述第六半导体层的方向上的上述第一绝缘膜的两端间的第一距离比上述第二区域中的上述第一距离长，上述第一区域中的、上述第二绝缘膜在上述第二半导体层的内周侧的端缘与上述第三半导体层在上述第二半导体层的外周侧的端缘之间的第二距离比上述第二区域中的上述第二距离短。