[发明专利]基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310091919.1 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103196596A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;王健;于能斌;李春峰 | 申请（专利权）人： | 揣荣岩 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器及其制造方法。这种传感器包括单晶硅衬底；在硅衬底上设置剖面为台阶型多晶硅的感压膜；采用牺牲层技术在感压膜和衬底之间形成的密闭空腔；在膜片上表面设有四个多晶硅纳米膜应变电阻；四个应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出；感压膜台阶下边缘设置有腐蚀孔。本发明具有体积小、灵敏度高、温度特性好、制造工艺与集成电路工艺兼容等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 牺牲 技术 纳米 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：包括单晶硅衬底（1），在单晶硅衬底（1）上设置剖面为台阶型的感压膜（4），感压膜（4）与单晶硅衬底（1）相连并在二者之间构成密闭空腔（2），感压膜（4）台阶下边缘设置有腐蚀孔（3），在感压膜（4）上面设有四个应变电阻（5），四个应变电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出。
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