[发明专利]基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：包括单晶硅衬底（1），在单晶硅衬底（1）上设置剖面为台阶型的感压膜（4），感压膜（4）与单晶硅衬底（1）相连并在二者之间构成密闭空腔（2），感压膜（4）台阶下边缘设置有腐蚀孔（3），在感压膜（4）上面设有四个应变电阻（5），四个应变电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥，将压力转换成电压输出。

2.根据权利要求1所述的基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：感压膜（4）上方还设有绝缘层（105），绝缘层（105）上方设有钝化层（106）。

3.根据权利要求1所述的基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：在空腔（2）中形成近似真空。

4.根据权利要求1所述的基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：感压膜（4）为多晶硅，其俯视形状为矩形或圆形。

5.根据权利要求1所述的基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器，其特征在于：应变电阻（5）为多晶硅纳米膜电阻。

6.一种如权利要求1所述基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器的制造方法，其特征在于：制造工艺步骤如下：

（1）在单晶硅衬底上淀积氧化层做为牺牲层；

（2）淀积第一层多晶硅并退火，刻蚀腐蚀孔；

（3）通过腐蚀孔，选择性湿法刻蚀牺牲层并干燥；

（4）淀积第二层或多层多晶硅，密封腐蚀孔，并与第一层多晶硅形成感压膜；

（5）在感压膜上淀积或氧化形成绝缘层作为隔离层，再淀积多晶硅纳米薄膜，离子注入杂质，刻蚀完成4个多晶硅纳米薄膜电阻；

（6）刻引线孔，溅射金属，完成电气连接；

（7）划片，封装，完成传感器制造。