[发明专利]高压发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201310091232.8 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103187494A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郭金霞;闫建昌;伊晓燕;田婷;詹腾;赵勇兵;宋昌斌;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高压发光二极管芯片的制作方法，包括：在衬底形成绝缘缓冲层；在绝缘缓冲层上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；图形化后蚀刻所述n型半导体层、有源层和p型半导体层形成沟槽，直至沟槽底部暴露出绝缘缓冲层，从而形成多个通过沟槽隔离的发光单元；形成金属互连线，将相邻发光单元串联起来；其特征在于：所述沟槽的深度为2.5um-4um。本发明可减少长时间的等离子轰击对LED有源区造成损伤，提高LED的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压发光二极管芯片的制作方法，包括：在衬底形成绝缘缓冲层；在绝缘缓冲层上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；图形化后蚀刻所述n型半导体层、有源层和p型半导体层形成沟槽，直至沟槽底部暴露出绝缘缓冲层，从而形成多个通过沟槽隔离的发光单元；形成金属互连线，将相邻发光单元串联起来；其特征在于：所述沟槽的深度为2.5um‑4um。
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